第一百八十九章：aoe伤害，最惨的米国（求订阅）（1/2）

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下播后，韩元回到了居住室弄了些吃的犒劳了一下自己，丝毫不知道现实中已经逐渐开始乱套了。

事实上，当他给碳化硅晶材使用‘电热渗透法’注入铝离子的时候，硅晶材料和芯片这方面就已经开始乱套了。

一种全新、稳定、能极少损坏碳化硅晶材中碳原子的离子注入法，引起了不少国家和研究这方面科学家的关注。

在确认这种方式有效后，这一波造成的aoe伤害范围可不小。

包括华国在内，还有米国、岛国、风车国等有能力制造离子注入机和离子源的国家都开始有些急了。

华国其实还好，虽然国内有凯世通和中科信两家离子注入机行业的龙头企业，算得上是是世界领先。

但领先的是光伏离子注入机方面，离子渗透在光伏这方面目前还没展示出应用。

真正惨的是米国和岛国。

离子渗透法在应用方面从理论上来说可以代替米国ic离子注入机，尽管做不到全部。

但伤害性真不小。

要知道在这种方式没面世前，米国拥有近乎垄断ic离子注入机市场的应用材料。

凡事涉及到芯片制造、高科技合金镀层的，都得从他手里买。

‘电热离子渗透法’这一枚炸弹丢下，至少在铝离子方面的离子注入，已经和他们无关了。

如果说真的能将‘电热离子渗透法’应用起来，哪怕是一部分的应用。

那米国这一波损失的，恐怕是每年上十亿甚至几十亿米金的市场。

而更关键的，还是今天的直播。

碳化硅晶体管的成功制备，让这研究方面的科学家看到了碳化硅晶材在芯片上的应用。

如果能成功的话，那撬动的可能就不是几十亿米金的市场了，而是百亿、千亿级别。

毕竟碳化硅半导体比单晶硅在性能方面要优异很多。

如果能用碳化硅晶材取代单晶硅作为基底的话，在芯片性能方面绝对能提升不少。

所以在韩元今天的直播结束后，准确的说是碳化硅晶体管放大电流的检测成功后，各国就已经乱了。

找人的找人，研究的研究。

米国甚至开始向华国进行施压，逼迫华国交这个不存在的主播，理由是这名主播盗取并透露了他们最新的科技研究。

.......

模拟空间内，美美的饱餐一顿后，韩元例常将今天的资料记录了下来。

第一颗碳化硅晶体管的成功面世，虽然仅仅是微弱的第一步，但让他对成功制造出晶体管计算机的信心大增。

如果将晶体管计算机比作笔记本电脑，那么晶体管就相当于cpu。

其重要性无可替代。

所以韩元选择第一个研究的就是晶体管，有了运算的核心，才能保障计算器的制造。

一觉醒来，韩元接着制造碳化硅晶体管和对晶体管进行各种检测。

电压检测、达林顿管检测、极限参数检测等各种测试全部做完的时候，二级任务的时间已经过去了二十多天。

这个过程，并没有想象中的那么顺利。

尽管碳化硅晶材很优秀，但他制造晶体管的工艺和设备实在太简陋。

像在蚀刻和退火等环节都无法做到完美的控制，这也导致了制造出来的碳化硅晶体管或多或少的有着一些缺陷。

甚至在做反向击穿电压的检测时，还遭遇到了最大的问题，一百伏电压轻松的击穿第一枚晶体管的集电极，导致了电子反向流动。

这个问题迫使韩元不得不重新进行设计晶体管的集电层。

好在最后他还是找了办法解决了。

整个过程